[发明专利]单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，背面氧化膜的内侧设有主端子T1，主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。本发明的晶闸管芯片结构合理可靠，能有效避免由于信号干扰导致的误触发现象；背面氧化膜提高了芯片触发电流的一致性。在制造该芯片时，由于双面N+型发射区和N+型门极区同时光刻、扩散形成，减少了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

1.单一负信号触发的双向晶闸管芯片，包括N‑型长基区，所述N‑型长基区的正面设有正面P型短基区，背面设有背面P型短基区，所述正面P型短基区的四周、N‑型长基区的上部设有环形隔离钝化槽，所述隔离钝化槽的内表面设有玻璃钝化膜，所述N‑型长基区的四周设有与背面P型短基区连通的P型对通隔离环，其特征在于：所述P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，所述门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，所述正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，所述主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，所述背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，所述背面氧化膜的内侧设有主端子T1，所述主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。