[发明专利]一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610151195.9 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105671506A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 方峰;张夜雨;陈海洋;张旭海;周雪峰;蒋建清 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，步骤为：第一步，磁控预溅射：采用磁控溅射法和双靶共溅射工艺，Ar气真空环境下，在洁净的衬底材料上，采用Ti和Cu靶进行预溅射；Cu靶与Ti靶的角度为60°～90°；第二步，磁控溅射：预溅射后，通入氧气和氮气的混合气体，真空下，控制Ti靶溅射功率为150W～250W，Cu靶溅射功率为20～50W，起辉后控制溅射气压为0.4～0.8Pa，开始磁控溅射；第三步，沉积薄膜；第四步，薄膜沉积后退火：在氧气和氮气的混合气氛中退火。能较精准控制金属掺杂量，并显著拓宽薄膜的光吸收范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修饰 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤为：第一步，磁控预溅射：采用磁控溅射法和双靶共溅射工艺，Ar气真空环境下，在洁净的衬底材料上，采用Ti和Cu靶进行预溅射；分别调整Cu靶、Ti靶的角度为60°～90°；第二步，磁控溅射：预溅射后，通入氧气和氮气的混合气体，真空下，控制Ti靶溅射功率为150W～250W，Cu靶溅射功率为20～50W，起辉后控制溅射气压为0.4～0.8Pa，开始磁控溅射；第三步，沉积薄膜：使衬底自转，控制自转速度，调节挡板与衬底位置，开始在衬底上沉积薄膜；第四步，薄膜沉积后退火：在氧气和氮气的混合气氛中退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610151195.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
