[发明专利]从裸芯附接膜带分离半导体裸芯的系统和方法有效
申请号: | 201610164091.1 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN107221510B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 邱进添;H.塔基亚 | 申请(专利权)人: | 晟碟信息科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 上海市闵行区江川*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了系统和方法,用于在晶片切割工艺期间将半导体裸芯从裸芯贴附的带移除。带包括基层和施加至基层的DAF。基层可以包括通孔过孔的图案。系统包括抽取工具,抽取工具包括支撑台、风扇和真空端。支撑台进一步包括孔。风扇设置在孔中或邻近孔。通过将带设置在支撑台上,使裸芯居中在孔上,风扇通过过孔对DAF施加正压,使DAF偏离基层。当真空端提取裸芯和DAF从基层脱离时,减少了半导体裸芯内的应力。 | ||
搜索关键词: | 裸芯附接膜带 分离 半导体 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种包括半导体裸芯的半导体器件,该半导体器件通过包括以下步骤的方法形成:(a)将该半导体裸芯固定在卡盘上,使该半导体裸芯安装至带,该带包括基层和裸芯附接膜(DAF),该基层包括多个通孔过孔,该裸芯附接膜附着到至该基层的第一表面;(b)向与该基层的第一表面相反的该基层的第二表面上吹气,以通过该通孔过孔向该裸芯附接膜施加压力,该压力使该裸芯附接膜从该基层偏离;以及(c)从该基层移除该半导体裸芯和该裸芯附接膜,当从该基层移除该半导体裸芯和该裸芯附接膜时,使该裸芯附接膜从该基层偏离的该压力减小该半导体裸芯中的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造