[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201610189104.0 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105609567A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张慧娟;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，属于显示器加工技术领域。所述薄膜晶体管包括第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源极、漏极、绝缘层和有源层；绝缘层设置在有源层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层上，绝缘层上设有第一接触孔和第二接触孔；源极通过第一接触孔与有源层电联接，漏极通过第二接触孔与有源层电联接；第一刻蚀阻挡层位于有源层与源极之间；第二刻蚀阻挡层位于有源层与漏极之间。在绝缘层上刻蚀接触孔时，可直接刻蚀到第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，防止欠刻的问题，又通过第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层对有源层进行阻挡，防止刻蚀过程中刻蚀到有源层，防止过刻的问题，提高了制作薄膜晶体管的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源极、漏极、绝缘层和有源层；所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，所述绝缘层设置在所述有源层、所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层上，所述绝缘层中设有第一接触孔和第二接触孔；所述源极通过所述第一接触孔与所述有源层电联接，所述漏极通过所述第二接触孔与所述有源层电联接；所述第一刻蚀阻挡层位于所述有源层与所述源极之间，所述第二刻蚀阻挡层位于所述有源层与所述漏极之间。
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