[发明专利]叠层柔性基板及制作方法在审
| 申请号： | 201610191158.0 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105702624A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘哲 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种叠层柔性基板及制作方法,该制作方法包括以下步骤：在基板上涂布第一有机层，并在第一有机层上形成多个第一凹槽；在第一有机层上沉积第一无机层，该第一无机层的最大厚度小于第一凹槽的最小深度；在第一无机层上沉积第二有机层，并在第二有机层上形成多个第二凹槽；在第二有机层上沉积第二无机层，该第二无机层的最大厚度小于第二凹槽的最小深度；在第二无机层上涂布平坦层；将基板与第一有机层剥离。本发明增加了有机层之间的粘附力，减小了后续制程中的膜面脱落的可能性，并使得叠层柔性基弯曲时，降低了应力堆积的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 制作方法 | ||
【主权项】：
一种叠层柔性基板的制作方法,其特征在于，包括以下步骤：在基板上涂布第一有机层，并在第一有机层上形成多个第一凹槽；在第一有机层上沉积第一无机层，该第一无机层的最大厚度小于第一凹槽的最小深度；在第一无机层上沉积第二有机层，并在第二有机层上形成多个第二凹槽；在第二有机层上沉积第二无机层，该第二无机层的最大厚度小于第二凹槽的最小深度；在第二无机层上涂布平坦层；将基板与第一有机层剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
