[发明专利]灵敏放大器有效

专利信息
申请号: 201610192163.3 申请日: 2016-03-30
公开(公告)号: CN105895139B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 傅俊亮;王鑫 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种灵敏放大器,包括第一PMOS管,第一、二和三电流路径。第一电流路径在放大过程中提供存储单元电流,第二电流路径在放大过程中提供存储单元比较电流,根据存储单元电流和存储单元比较电流的比较结构控制第一PMOS管的栅极;第一PMOS管的源极通过第一开关连接到电源电压,第三电流路径连接在第一PMOS管的漏极和地之间,放大过程中通过第一PMOS管的电流和第三电流路径的电流比较实现信号放大并输出。本发明不需要采用比较器,电路结构简单,版图面积小。
搜索关键词: 灵敏 放大器
【主权项】:
一种灵敏放大器,其特征在于,包括:第一PMOS管,第一电流路径,第二电流路径,第三电流路径;所述第一电流路径连接在所述第一PMOS管的栅极和地之间,存储单元位于所述第一电流路径中,所述第一电流路径用于在放大过程中提供存储单元电流,令第一值为所述存储单元的存储数据为1时所述存储单元电流的大小、第二值为所述存储单元的存储数据为0时所述存储单元电流的大小;所述第二电流路径连接在所述第一PMOS管的栅极和电源电压之间,所述第二电流路径在放大过程中提供存储单元比较电流,所述存储单元比较电流的大小为第三值,所述第三值设置为大于所述第一值使所述存储单元的存储数据为1时所述第一PMOS管的栅极上拉为高电平从而使所述第一PMOS管断开;所述第三值设置为小于所述第二值使所述存储单元的存储数据为0时所述第一PMOS管的栅极下拉为低电平从而使所述第一PMOS管导通;所述第一PMOS管的源极通过第一开关连接到电源电压,第三电流路径连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间,所述第一PMOS管的漏极连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端作为灵敏放大器的输出端并输出所读取的数据输出信号;所述第一开关在放大过程中导通从而使所述第一PMOS管的源极连接到电源电压;所述第三电流路径的电流大小为第四值;第四值的大小满足:放大过程中,所述第一PMOS管断开时所述第三电流路径使所述第一PMOS管的漏极和地连接从而保持低电平,在所述第一PMOS管导通时流过所述第一PMOS管的电流大于所述第三电流路径的电流从而使第一PMOS管的漏极电压上拉为高电平。
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