[发明专利]干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法有效
| 申请号： | 201610192597.3 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105789094B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 苏彦荧;庄荀凯 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，设置屏蔽环包括屏蔽环本体(41)、及多个独立的细部调整件(42)，在屏蔽环本体(41)顶部趋近吸附平台(3)的部位裁切出横截面呈“L”形的缺口(411)，所述细部调整件(42)置于所述横截面呈“L”形的缺口(411)上，通过移动细部调整件(42)使其与吸附平台(3)紧密接触后再将细部调整件(42)固定于屏蔽环本体(41)的方式减小屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间的缝隙，尤其是屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间由于圆角搭配不当产生的缝隙，从而能够减少异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 降低 其内 屏蔽 吸附 平台 缝隙 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干蚀刻装置，其特征在于，包括上电极板(1)、与上电极板(1)相对间隔设置的下电极板(2)、设于所述下电极板(2)上的吸附平台(3)、设在所述下电极板(2)上并包围吸附平台(3)四周边缘的屏蔽环(4)、及设在所述屏蔽环(4)与下电极板(2)之间的阳极膜(5)；所述屏蔽环(4)包括屏蔽环本体(41)、及多个独立的细部调整件(42)；所述屏蔽环本体(41)顶部趋近吸附平台(3)的部位具有横截面呈“L”形的缺口(411)，所述细部调整件(42)置于所述横截面呈“L”形的缺口(411)上；通过移动细部调整件(42)使其与吸附平台(3)紧密接触不留缝隙后再将细部调整件(42)固定于屏蔽环本体(41)的方式减小屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间的缝隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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