[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，利用透明金属氧化物导体材料可见光透过率较高的特点以及将透明金属氧化物半导体掺杂处理成透明金属氧化物导体的方法，同时形成有源层与像素电极，能够达到减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本的目的；此外，仅采用一道半透光罩曝光、刻蚀形成公共电极以及遮光层和透明导电层形成的叠层遮光层，可进一步减少光罩次数，通过TFT下方设置遮光层，避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。本发明的TFT基板，制程简单，生产成本低，且TFT下方设有遮光层，避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积透明导电膜(11)和遮光膜(12)；步骤2、采用一道半透光罩(15)对所述透明导电膜(11)与遮光膜(12)进行图形化处理，得到位于基板(10)上且间隔设置的透明导电层(21)与公共电极(22)、以及位于透明导电层(21)上方与其宽度相等且两端对齐的遮光层(30)；步骤3、在所述遮光层(30)、公共电极(22)、及基板(10)上沉积缓冲层(40)，在所述缓冲层(40)上依次沉积氧化物半导体层(41)、绝缘层(42)、及栅极金属层(43)；步骤4、采用一道光罩对所述栅极金属层(43)与绝缘层(42)进行图形化处理，得到宽度相等且两端对齐的栅极(50)及栅极绝缘层(60)；以所述栅极(50)与栅极绝缘层(60)为遮蔽层，对所述氧化物半导体层(41)进行离子掺杂，将所述氧化物半导体层(41)上未被所述栅极(50)及栅极绝缘层(60)覆盖的区域转化为氧化物导体；步骤5、采用一道光罩对所述氧化物半导体层(41)进行图形化处理，形成有源层(70)以及与有源层(70)相连的像素电极(80)；所述有源层(70)包括对应于所述栅极(50)下方的沟道区(71)、位于所述沟道区(71)一侧的漏极接触区(72)、位于所述沟道(71)另一侧且与像素电极(80)相连的连接区(73)；其中，所述有源层(70)的沟道区(71)为氧化物半导体材料，所述有源层(70)的漏极接触区(72)与连接区(73)、以及像素电极(80)为氧化物导体材料；所述氧化物半导体材料为透明金属氧化物半导体材料，所述氧化物导体材料为离子掺杂的透明金属氧化物半导体材料；步骤6、在所述栅极(50)、有源层(70)、及缓冲层(40)上沉积第一钝化层(90)，采用一道光罩对该第一钝化层(90)进行图形化处理，在所述第一钝化层(90)上形成对应于所述漏极接触区(72)的通孔(91)；步骤7、在所述第一钝化层(90)上沉积漏极金属层(95)，采用一道光罩对该漏极金属层(95)进行图形化处理，得到漏极(96)，所述漏极(96)通过通孔(91)与所述有源层(70)的漏极接触区(72)相接触，在所述漏极(96)、及第一钝化层(90)上沉积第二钝化层(98)，完成TFT基板的制作。