[发明专利]半导体晶片的切割方法有效
| 申请号： | 201610199755.8 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105702629B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵军帅;吴婷婷 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片的切割方法，其在切割过程中固定中止切割检查所述胶膜上的刀痕，并对应调整所述切割片的高度，具体地，将晶片放置于胶膜上，采用切割刀对晶片的正面进行纵向和横向切割，形成芯粒，其中在切割过程中，通过固定频率调整所述切割刀的高度，使胶膜上的刀痕呈虚线状态，以改善晶片崩裂现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片的切割方法，将晶片放置于胶膜上，采用切割刀对晶片的正面进行纵向和横向切割，形成芯粒，其特征在于：在切割过程中，通过固定频率检查胶膜上的切割刀痕并根据所述刀痕调整所述切割刀的高度，使胶膜上的刀痕呈虚线状态，在切割过程中，采用同一切割刀先切穿再半切，循环作业。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
