[发明专利]一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件有效
| 申请号： | 201610201212.5 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105702585B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杨丽娟;周如 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/417;H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件。所述制作方法在形成源电极和漏电极的构图工艺中，首先在源漏金属层上形成平坦层，提供平坦表面，然后在平坦层上形成光刻胶，从而光刻胶的厚度一致，曝光均匀，能够严格控制源电极和漏电极的线宽，即使源电极和漏电极之间的间隔距离较小，由于不存在光刻胶过度曝光的现象，因此也不容易出现短接的问题，适用于高分辨率的产品中，并保证产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 显示 及其 制作方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：形成源漏金属层；在所述源漏金属层上形成平坦层，所述平坦层由氮化硅或氧化硅制得；对所述平坦层和源漏金属层进行构图工艺，形成源电极和漏电极；对所述平坦层和源漏金属层进行构图工艺，形成源电极和漏电极的步骤包括：在所述平坦层上形成厚度一致的光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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