[发明专利]一种两步法制备多孔铱的方法

摘要

本发明属于一种多孔材料的制备领域，具体公开了一种“化学气相沉积”+“高温焙烧”两步法制备多孔铱的方法。第一步是“化学气相沉积的方法制备铱”选用的基体为钼，可以使用共反应气体来提高沉积质量。得到沉积在钼基体上的铱后，使用合适的腐蚀剂腐蚀掉基体，得到金属铱。第二步是“高温焙烧的方法制备多孔铱”对铱在高温、保护气氛下进行高温焙烧，得到多孔铱。由于多孔铱熔点高，脆性大，常规方法制备多孔铱较为困难，本发明采用化学气相沉积后高温焙烧的方式，得到多孔铱，工艺流程较为简单，孔隙率，平均孔径可以控制。

主权项

一种两步法制备多孔铱的方法，其特征在于该方法的步骤为：第一步，化学气相沉积法制备铱，详细步骤为：(1)对钼基体进行清洗并干燥；(2)将SiC砂和Ir(acac)3混合均匀后装入蒸发室；(3)将蒸发室与沉积室通过管路连接，然后将步骤(1)得到的钼基体置于沉积室中，完成系统的组装；(4)将氩气通过管路通入到蒸发室中；(5)将氢气通过管路通入到沉积室中，然后开启感应加热炉对钼基体进行感应加热；(6)开启蒸发室加热装置，对Ir(acac)3进行加热；(7)待蒸发室加热至所需温度稳定后，通过氩气载带将Ir(acac)3气体导入沉积室，沉积反应开始；(8)达到预定沉积时间后，将Ir(acac)3气体导出沉积室，并关闭蒸发室和沉积室中间的高温阀，关闭蒸发室的加热装置，然后对钼基体进行降温，当钼基体温度降至室温后，依次关闭氢气和氩气，将样品从沉积室中取出；(9)利用化学腐蚀的方法腐蚀掉钼基体，然后用去离子水洗涤金属铱并干燥；第二步，高温焙烧制备多孔铱：在管式炉中，对第一步得到的金属铱进行高温焙烧。