[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过一道半透光罩将有源层、栅极绝缘层、栅极的图形光刻出来，使得整个TFT基板的制程采用3道光罩即可完成，与现有技术相比，可节约一道光罩，工艺简单，且制造成本低。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、半导体层(30)、绝缘层(40)、及栅极金属层(50)；步骤2、在所述栅极金属层(50)上涂覆一层光阻材料，采用一半透光罩(90)对该层光阻材料进行图形化处理，得到呈“凸”字形的光阻层(60)，该光阻层(60)包括位于中间的第一光阻段(61)与位于第一光阻段(61)两侧的第二光阻段(62)，所述第一光阻段(61)的厚度大于第二光阻段(62)的厚度；步骤3、采用第一道蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)、绝缘层(40)上未被光阻层(60)覆盖的部分；采用第二道蚀刻工艺去除所述半导体层(30)上未被光阻层(60)覆盖的部分，得到有源层(35)；步骤4、对光阻层(60)进行灰化处理，薄化第一光阻段(61)并去除第二光阻段(62)；采用蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)与绝缘层(40)上未被光阻层(60)覆盖的部分，形成栅极(55)与栅极绝缘层(45)；以所述光阻层(60)、栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，对所述有源层(35)进行处理，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)覆盖的区域的导电性增强，形成源极接触区(31)、漏极接触区(32)、以及位于所述源极接触区(31)与漏极接触区(32)之间的沟道区(33)；步骤5、将剩余的光阻层(60)剥离去除，在所述栅极(55)、有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积层间介电层(70)，采用一道光罩对该层间介电层(70)进行图形化处理，在所述层间介电层(70)上形成分别对应于所述源极接触区(31)与漏极接触区(32)的第一通孔(71)与第二通孔(72)；步骤6、在所述层间介电层(70)上沉积源漏极金属层(80)，采用一道光罩对该源漏极金属层(80)进行图形化处理，得到源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)和漏极(82)分别通过第一通孔(71)和第二通孔(72)与所述有源层(35)的源极接触区(31)和漏极接触区(32)相接触，从而制得一TFT基板。