[发明专利]一种LTPS阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201610206147.5 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN105742240B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈玉霞;贺超 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LTPS阵列基板的制造方法，所述LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层。所述制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化所述栅极层，使所获得的栅极图案的宽度小于所述金属遮挡层的宽度，并且所述栅极图案的垂直投影完全落入所述金属遮挡层范围内。在本发明中，通过利用所述金属遮挡层作为光罩图案化所述栅极层，节省了栅极金属光罩的制作成本，从而节省了LTPS生产制作成本并简化了生产制程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ltps 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LTPS阵列基板的制造方法，所述LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层，其特征在于，所述制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化形成所述栅极层，且所获得的栅极层的宽度小于所述金属遮挡层的宽度，并且所述栅极层的垂直投影完全落入所述金属遮挡层范围内；并且，所述金属遮挡层的各图形之间串联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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