[发明专利]测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201610208066.9 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107290594B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 贺鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试结构及其测试方法，所述测试结构包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；第一区域的第一测试结构，包括若干个栅极结构，栅极结构两侧基底内的掺杂区，第一区域两端的第一连接结构和第一连接结构之间的第二连接结构，第一连接结构和第二连接结构均包括与掺杂区相连接的接触插塞以及与接触插塞相连接的金属层；第二区域的第二测试结构，包括第二区域两端的第三连接结构和第三连接结构之间的第四连接结构，与第一测试结构的区别仅在于第四连接结构包括与掺杂区相连接的接触插塞；第三区域的第三测试结构，与第二测试结构的区别仅在于第二测试结构具有第四连接结构。通过所述测试结构，可以精准地获取晶体管的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，其特征在于，包括：/n基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；/n阱区，位于所述基底内；/n位于所述第一区域的第一测试结构，所述第一测试结构包括干个位于所述第一区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，位于所述第一区域两端的第一连接结构以及所述第一连接结构之间的第二连接结构，所述第一连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，所述第二连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同；/n位于所述第二区域的第二测试结构，所述第二测试结构包括若干个位于所述第二区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，位于所述第二区域两端的第三连接结构以及所述第三连接结构之间的第四连接结构，所述第三连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，所述第四连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同；/n位于所述第三区域的第三测试结构，所述第三测试结构包括若干个位于所述第三区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，以及位于所述第三区域两端的第五连接结构，所述第五连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同。/n
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