[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610209916.7 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107275210B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 许智凯;傅思逸;洪裕祥;程伟麒;郑志祥;杨宗穆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作方法包括：首先提供一基底，然后形成一栅极结构于基底上，形成一凹槽于栅极结构两侧的基底中，形成一外延层于凹槽内，其中外延层的上表面低于基底的上表面，之后再形成一遮盖层于外延层上，其中遮盖层的上表面高于基底的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一栅极结构于该基底上；形成一凹槽于该栅极结构两侧的该基底中；形成一外延层于该凹槽内，其中该外延层的上表面低于该基底的上表面；形成一遮盖层于该外延层上，其中该遮盖层的上表面高于该基底的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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