[发明专利]稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法有效
| 申请号： | 201610210217.4 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN105671629B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 杭寅;徐民;张连翰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯;张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，晶体的化学式表示为(LnxRe1‑x)2O3，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 氧化物 激光 晶体 导模法 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，其特征在于，包括如下步骤：①装炉：将原料置于导模炉的坩埚中，安装导模、籽晶、温场，并密封炉膛通入保护性气氛气体,该保护性气氛气体为Ar+H2或Ar+CO，所述温场的温度梯度为5～40℃/cm；②熔料：加热升温将原料全部熔化形成熔体，并过热10～30℃，恒温0.5～2小时后，将熔体降温至原料全部熔化时的温度；③生长：将籽晶缓慢摇下，与导模中的熔体液面接触成为一体，停留3～5min后开启提拉机构，升温使籽晶直径收细，逐渐降低导模表面温度进行放肩，当晶体覆盖整个导模表面时结束放肩，进行等径生长，待晶体生长至所需尺寸时，提拉晶体脱离熔体液面，完成生长，整个过程晶体提拉速率调节为1～50mm/h；④冷却：晶体生长完毕后，对晶体降温冷却至室温，晶体降温冷却速率为20～200℃/h。
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