[发明专利]一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法有效
| 申请号： | 201610212081.0 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105836804B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李亚峰;魏明灯;车宗洲;陈凯翔 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B32/184;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于纳米材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L‑半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得碳插层的MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的复合物。该制备方法简单，重复性好、有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分等级 结构 碳插层 mos sub rgo 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法，其特征在于：将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo3O10( C2H10N2 )分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L‑半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得；氧化石墨烯、Mo3O10(C2H10N2 )、L‑半胱氨酸和葡萄糖的质量比为：10mg:0.125g:0.375g:0.2g；200℃水热反应15h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610212081.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铁路用线缆槽
- 下一篇：卡扣式线卡及使用该线卡的车辆
