[发明专利]偏振可控纳米光源及其显微系统、光子芯片系统有效
申请号: | 201610212532.0 | 申请日: | 2016-04-07 |
公开(公告)号: | CN105914253B | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 杨青;徐鹏飞;钱浩亮;庞陈雷;李海峰;刘旭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/0232 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种偏振可控纳米光源,包括基底;位于基底上的单层石墨烯;分别设置在石墨烯边缘和基底上的第一电极和第二电极;放置在单层石墨烯上的半导体纳米带;引入激发光照射所述半导体纳米带一端的光纤,并在所述半导体纳米带另一端输出光信号;以及用于改变第一电极和第二电极间施加电压以调控输出光偏振的外加信号源。本发明还公开了具有上述偏振可控纳米光源的显微系统、光子芯片系统。本发明提供可小型化、集成化的偏振可控纳米光源,通过电信号调节石墨烯费米能级,改变其对传输光的支持状态,从而实现对半导体纳米光源输出偏振的调控。 | ||
搜索关键词: | 偏振 可控 纳米 光源 及其 显微 系统 光子 芯片 | ||
【主权项】:
一种偏振可控纳米光源,其特征在于,包括:基底;位于基底上的单层石墨烯;分别设置在石墨烯边缘和基底上的第一电极和第二电极;放置在单层石墨烯上的半导体纳米带;引入激发光照射所述半导体纳米带一端的光纤,并在所述半导体纳米带另一端输出光信号;以及用于改变第一电极和第二电极间施加电压以调控输出光偏振的外加信号源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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