[发明专利]光电子半导体器件有效
| 申请号： | 201610214827.1 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105702842B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | M.施奈德;J.拉姆亨;M.维特曼 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L25/075;H01L25/16;H01L33/54;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了一种光电子半导体器件，包括载体，具有上侧和与上侧相对的下侧；至少一个布置在上侧处的具有辐射出射面的发射辐射的半导体部件；吸收辐射的层，被设立用于吸收射到器件上的环境光；和布置在载体的至少一个连接部位上方的至少一个层开口，其中吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触，辐射出射面无吸收辐射的层，层开口在横向方向上与半导体部件有间隔地布置，在层开口中至少局部地布置导电材料，导电材料至少局部地布置在器件的背离载体的外面上，导电材料将连接部位与半导体部件导电地连接，以及导电材料是辐射可穿透的。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体器件（100），包括：‑载体（1），所述载体具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）；‑至少一个布置在上侧（11）处的具有辐射出射面（6）的发射辐射的半导体部件（2），在该半导体部件（2）运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件（2），‑吸收辐射的层（3），所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件（100）上的环境光，使得该器件（100）的背离载体（1）的外面（101）至少局部地显现为黑色，和‑布置在载体（1）的至少一个连接部位（13）上方的至少一个层开口（32），所述至少一个层开口完全穿过吸收辐射的层（3）并且从吸收辐射的层（3）的背离载体（1）的上侧（31）朝着载体（1）的下侧（12）的方向延伸，其中‑吸收辐射的层（3）在横向方向（L）上完全包围发射辐射的半导体部件（2）并且至少局部地与发射辐射的半导体部件（2）的侧面（23）直接接触，‑辐射出射面（6）无吸收辐射的层（3），‑层开口（32）在横向方向（L）上与半导体部件（2）有间隔地布置，‑在层开口（32）中至少局部地布置导电材料（7），‑导电材料（7）至少局部地布置在器件（100）的背离载体（1）的外面（101）上，‑导电材料（7）将连接部位（13）与半导体部件（2）导电地连接，以及‑导电材料（7）是辐射可穿透的。
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