[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201610216862.7 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107275197A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李海艇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L23/48;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括提供具有第一待键合面的晶圆，晶圆内形成有射频器件；提供具有第二待键合面的载体晶圆；对第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层；使第一待键合面与第二待键合面相接触，实现晶圆和载体晶圆的键合，阻挡层用于抑制键合后载体晶圆内的感应电荷发生移动。晶圆内的射频器件形成电场，电场容易使载体晶圆形成感应电荷，本发明通过对载体晶圆的第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层，阻挡层可以抑制键合后载体晶圆内的感应电荷发生移动，避免感应电荷在晶圆和载体晶圆之间发生移动，从而可以避免射频信号能量的损失，进而改善键合后的芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一待键合面，且所述晶圆内形成有射频器件；提供载体晶圆，所述载体晶圆具有第二待键合面；对所述第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层；使所述第一待键合面与所述第二待键合面相接触，实现所述晶圆和载体晶圆的键合，所述阻挡层用于抑制键合后所述载体晶圆内的感应电荷发生移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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