[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底以及位于衬底上的鳍部；在第一区域的鳍部表面形成第一伪栅结构，包括第一伪栅电极层，并在第二区域的鳍部表面形成第二伪栅结构，包括第二伪栅电极层；在衬底上形成介质层；去除第一伪栅电极层和第二伪栅电极层，分别在介质层内形成第一开口和第二开口；在第二开口侧壁形成牺牲层；在第一开口和第二开口内填充抗反射膜；去除第二开口内的抗反射膜，形成图形化的抗反射层。本发明在填充抗反射膜之前，在第二开口侧壁形成牺牲层，牺牲层可以保护第二开口侧壁的材料层，避免形成图形化的抗反射层的工艺对第二开口侧壁的材料层的质量产生不良影响，进而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的鳍部表面形成第一伪栅结构并在所述第二区域的鳍部表面形成第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括伪栅氧化层和第二伪栅电极层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅结构和第二伪栅结构齐平并露出所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层；去除所述第一伪栅电极层，在所述介质层内形成第一开口，去除所述第二伪栅电极层，在所述介质层内形成第二开口；在所述第二开口侧壁形成牺牲层；形成所述牺牲层后，在所述第一开口和第二开口内填充抗反射膜；去除所述第二开口内的抗反射膜，形成图形化的抗反射层；以所述抗反射层为掩膜，去除所述第二开口侧壁的牺牲层和第二开口底部的伪栅氧化层；去除所述第二开口底部的伪栅氧化层后，去除所述第一开口内的抗反射层；在所述栅氧化层表面、第一开口侧壁以及第二开口的底部和侧壁上形成栅介质层；在所述第一开口和第二开口中填充金属层。