[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构、第一介质层以及位于栅极结构两侧的侧墙，所述第一介质层具有与侧墙相邻的侧表面；去除侧墙的一部分，暴露出第一介质层的侧表面的一部分；分别从第一介质层的顶表面、及暴露出的第一介质层的侧表面去除部分第一介质层，去除栅极结构的一部分，在剩余第一介质层内形成第一开口；形成填充满第一开口且与剩余第一介质层的顶表面齐平的覆盖层，所述覆盖层的侧壁具有位于剩余第一介质层上的突出部。本发明实施例的形成方法，所述突出部能够对侧墙起到遮挡与保护作用，减小侧墙被刻蚀的比例，增强接触结构与栅极结构之间的隔离效果，避免短路问题。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构、第一介质层以及位于所述栅极结构两侧的侧墙，其中所述栅极结构和侧墙位于所述第一介质层内、且所述栅极结构和侧墙的顶表面与所述第一介质层的顶表面齐平，所述第一介质层具有与所述侧墙相邻的侧表面；去除所述侧墙的一部分，使剩余侧墙的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，从而暴露出所述第一介质层的侧表面的一部分；分别从所述第一介质层的顶表面、及暴露出的所述第一介质层的侧表面去除部分所述第一介质层，去除所述栅极结构的一部分，使剩余栅极结构的顶表面和剩余侧墙的顶表面低于剩余第一介质层的顶表面，从而在剩余第一介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口且与所述剩余第一介质层的顶表面齐平的覆盖层，所述覆盖层覆盖剩余栅极结构以及剩余侧墙的顶表面，且所述覆盖层的侧壁具有位于所述剩余第一介质层上的突出部。