[发明专利]半导体集成电路和电子设备有效
申请号: | 201610221710.6 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN105789232B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 工藤义治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体集成电路和电子设备。它们均包括第一和第二半导体基板;模拟电路,其生成模拟信号,其中所述模拟电路的第一部分设置在所述第一半导体基板上,并且其中,所述模拟电路的第二部分设置在所述第二半导体基板上;数字电路,其在所述第二半导体基板上,其中所述数字电路将所述模拟信号转换成数字信号;在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的连接部,其将所述模拟电路的所述第一部分连接到所述模拟电路的所述第二部分;以及遮光金属,其设置在所述电流源晶体管和所述第一半导体基板中的多个像素之间。根据本发明,能够抑制由于多个电路块划分到多个芯片而导致的基板总面积的增加。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路,其包括:上下重叠的第一半导体基板和第二半导体基板;模拟电路,其生成模拟信号,其中,所述模拟电路的第一部分设置在所述第一半导体基板上,所述第一部分包括传输晶体管、复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管,并且其中,所述模拟电路的第二部分设置在所述第二半导体基板上,所述第二部分包括用于电流源的电流源晶体管;数字电路,其在所述第二半导体基板上,其中所述数字电路将所述模拟信号转换成数字信号;在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的连接部,其将所述模拟电路的所述第一部分连接到所述模拟电路的所述第二部分;多个像素电路,每个所述像素电路具有光电转换元件,并且每个所述像素电路输出作为所述模拟信号的像素信号,以及遮光金属,其设置在所述电流源晶体管和所述第一半导体基板中的所述多个像素电路之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610221710.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的