[发明专利]一种半导体功率器件版图

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件版图，包括：栅极沟槽的中部为折线结构，两端延伸进入栅极接触区，并与栅极总线连接，尾端在距离栅极接触区的预定位置处相互连接，形成封闭的虚栅区；虚栅沟槽位于封闭的虚栅区中间，与栅极沟槽平行，虚栅沟槽的两端或中间形成封闭接触窗口；基区接触区位于相邻两个栅极沟槽之间，并与栅极沟槽平行；虚栅接触孔位于虚栅沟槽上的封闭接触窗口内，宽度大于虚栅沟槽的宽度；源极接触孔覆盖于基区接触区之上，宽度大于所述基区接触区的宽度，长度小于基区接触区的长度。所述栅极沟槽、虚栅沟槽以及基区接触区都包含水平与非水平部分，不同方向的沟槽能够分散芯片上的应力，有利于芯片采用更薄的晶圆进行制备。

主权项

1.一种半导体功率器件版图，其特征在于，包括栅极沟槽、虚栅沟槽、基区接触区、虚栅接触孔和源极接触孔，所述栅极沟槽为连续条形栅极沟槽，中部为折线结构，两端延伸进入栅极接触区，并与栅极总线连接，以每相邻两条所述栅极沟槽为一组，所述栅极沟槽尾端在距离栅极接触区的预定位置处相互连接，形成封闭的虚栅区；所述虚栅沟槽为连续条形虚栅沟槽，位于所述封闭的虚栅区中间，与所述栅极沟槽平行，所述虚栅沟槽的两端或中间形成封闭接触窗口；所述基区接触区为连续条形基区接触区，位于以每相邻两条所述栅极沟槽为一组的相邻两个所述栅极沟槽之间，并与所述栅极沟槽平行；所述虚栅接触孔位于所述虚栅沟槽上的封闭接触窗口内，宽度大于所述虚栅沟槽的宽度；所述源极接触孔为连续条形源极接触孔，覆盖于所述基区接触区之上，宽度大于所述基区接触区宽度，长度小于所述基区接触区的长度。