[发明专利]传输电路及存储器电路有效
| 申请号： | 201610236349.4 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105680674B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种传输电路及存储器电路，所述传输电路包括：传输单元，所述传输单元的控制端接收第一电压，所述传输单元适于在所述第一电压的控制下，将第二电压从所述传输单元的输入端传输至所述传输单元的输出端；第一升压单元，适于对所述第二电压进行升压，以得到所述第一电压；负载MOS管，所述负载MOS管的漏极耦接所述传输单元的控制端，所述负载MOS管的栅极接收第三电压；其中，所述第三电压大于电源电压且小于所述第一电压。本专利方案可以提高存储器中的传输电路的电压传输稳定性，并且较易实施。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 电路 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种传输电路，其特征在于，包括：传输单元，所述传输单元的控制端接收第一电压，所述传输单元适于在所述第一电压的控制下，将第二电压从所述传输单元的输入端传输至所述传输单元的输出端；第一升压单元，适于对所述第二电压进行升压，以得到所述第一电压；负载MOS管，所述负载MOS管的漏极耦接所述传输单元的控制端，所述负载MOS管的栅极接收第三电压；其中，所述第三电压大于电源电压且小于所述第一电压。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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