[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610240551.4 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107304038B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有空腔；步骤S2：在所述空腔的表面形成保护层，以覆盖所述空腔；步骤S3：提供顶部晶圆并和所述底部晶圆相接合；步骤S4：反转所述步骤S3中接合后的元件，并在所述底部晶圆的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。本发明的优点在于：1、有效保护正面空腔(Cavity)，避免受到损坏。2、提高了产品的良率(Yield)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有空腔；步骤S2：在所述空腔的表面形成保护层，以覆盖所述空腔、避免所述空腔在后续的步骤中碎裂；步骤S3：提供顶部晶圆并和所述底部晶圆相接合；步骤S4：反转所述步骤S3中接合后的元件，并在所述底部晶圆的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部的所述保护层。
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