[发明专利]高压LDMOS器件及工艺方法有效
| 申请号： | 201610242892.5 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105870188B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王惠惠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压LDMOS器件，在P型衬底中具有N型深阱，在剖视角度上，靠近N型深阱两侧内壁处分别具有第一N型区和第二N型区，所述第二N型区为LDMOS器件的漏区；N型深阱中还具有P阱，P阱与第二N型区之间的衬底表面具有场氧，场氧下方具有P型层；所述P阱中包含有第三N型区作为LDMOS器件的源区，以及将P阱引出的第一P型区；所述P型衬底中还具有引出衬底电极的第二P型区；所述第一N型区作为寄生JFET的源区。场氧下的P型层是分为中间隔开的两段。所述的N型深阱的底部具有间隔形成两部分，所述间隔是由两段N型深阱之间存在的高阻区域构成；本器件其寄生JFET的漏电流较小，有更广泛的电压适应范围。本发明还公开了所述高压LDMOS器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压LDMOS器件 场氧 寄生 衬底 两段 源区 衬底表面 衬底电极 电压适应 高阻区域 两侧内壁 漏电流 中间隔 漏区 | ||
【主权项】：
1.一种高压LDMOS器件，在P型衬底中具有N型深阱，在剖视角度上，靠近N型深阱两侧内壁处分别具有第一N型区和第二N型区，所述第二N型区为LDMOS器件的漏区；N型深阱中还具有P阱，P阱与第二N型区之间的衬底表面具有场氧，场氧下方具有P型层；所述P阱中包含有第三N型区作为LDMOS器件的源区，以及将P阱引出的第一P型区；所述P型衬底中还具有引出衬底电极的第二P型区；所述第一N型区作为寄生JFET的源区；寄生JFET与LDMOS器件共用漏区及漂移区，寄生JFET的栅极由LDMOS器件的源区及衬底端寄生形成；其特征在于：场氧下的所述P型层是分为两段，中间间隔开而使两段不连接；N型深阱的底部具有间隔形成两部分，所述间隔是由两段N型深阱之间存在的高阻区域构成，该高阻区域位于两段P型层间隔区的下方，即高阻区域的位置与其上方P型层间隔区位置对应。
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