[发明专利]金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法有效
| 申请号： | 201610250248.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105734493B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典隆;太田将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;H01L21/02;H01L21/66;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于 |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，其为具有铟、镓、和锌的金属氧化物膜的制造方法，在氧的分压大于或等于33％的形成气氛中，使用包含多晶氧化物的一种溅射靶材，通过溅射法形成所述金属氧化物膜，所述溅射靶材具有铟、镓、和锌，所述金属氧化物膜具有晶体部，所述晶体部当形成所述金属氧化物膜时形成，所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，所述金属氧化物膜具有在XRD测定中未观察到对应于所述晶体部的峰值的区域。
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