[发明专利]一种基于MEEF的OPC验证方法有效
申请号: | 201610250573.9 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN105717740B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于MEEF的OPC验证方法,该方法在传统OPC验证的基础上,对版图进行MEEF分析,根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸,根据预定规格选择不符合规格的图形点,并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸,如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板,否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法,本发明通过基于MEEF的OPC验证,能够检测在掩模板尺寸存在误差的情况下是否会导致硅片上图形缺陷的问题,同时,本发明通过对工艺热点风险较高的图形点进行掩模板尺寸测量,能进一步确保掩模板的质量,降低掩模板尺寸误差带来硅片图形缺陷的风险。 | ||
搜索关键词: | 掩模板 硅片 验证 量测 尺寸测量 尺寸误差 规格选择 硅片图形 图形缺陷 误差获得 小硅片 检测 优化 制作 分析 | ||
【主权项】:
1.一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:该方法在传统OPC验证的基础上,对版图进行MEEF分析,根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸,根据设定规格选择不符合规格的图形点,并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸,如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板,否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法,所述方法包括如下步骤:步骤一,进行常规OPC验证;步骤二,利用OPC模型模拟OPC后图形得到模拟尺寸,选择模拟尺寸小于预设规格的图形;步骤三,对版图进行MEEF分析,选择MEEF值超出规定的图形点;步骤四,根据模拟尺寸与MEEF值计算最大掩模板尺寸误差情况下的最小硅片尺寸,所述最小硅片尺寸的计算方法为:最小硅片尺寸=模拟尺寸–MEEF*最大掩模板误差/掩模板放大倍率;步骤五,设定最小硅片尺寸规格,选择通过步骤四得到的最小硅片尺寸小于设定规格的图形点;步骤六,掩模板制作完成后,对步骤五所选定的图形点进行掩模板尺寸测量,并根据实际掩模板误差计算预测硅片尺寸,所述预测硅片尺寸的计算方法为:预测硅片尺寸=模拟尺寸+MEEF*(标准化掩模板误差/掩模板放大倍率);步骤七,如果预测硅片尺寸符合最小硅片尺寸规格,则进行曝光并实施硅片尺寸验证,否则重新制作掩模板。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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