[发明专利]一种基于MEEF的OPC验证方法有效

专利信息
申请号: 201610250573.9 申请日: 2016-04-21
公开(公告)号: CN105717740B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/84 分类号: G03F1/84;G03F1/36
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于MEEF的OPC验证方法,该方法在传统OPC验证的基础上,对版图进行MEEF分析,根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸,根据预定规格选择不符合规格的图形点,并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸,如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板,否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法,本发明通过基于MEEF的OPC验证,能够检测在掩模板尺寸存在误差的情况下是否会导致硅片上图形缺陷的问题,同时,本发明通过对工艺热点风险较高的图形点进行掩模板尺寸测量,能进一步确保掩模板的质量,降低掩模板尺寸误差带来硅片图形缺陷的风险。
搜索关键词: 掩模板 硅片 验证 量测 尺寸测量 尺寸误差 规格选择 硅片图形 图形缺陷 误差获得 小硅片 检测 优化 制作 分析
【主权项】:
1.一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:该方法在传统OPC验证的基础上,对版图进行MEEF分析,根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸,根据设定规格选择不符合规格的图形点,并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸,如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板,否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法,所述方法包括如下步骤:步骤一,进行常规OPC验证;步骤二,利用OPC模型模拟OPC后图形得到模拟尺寸,选择模拟尺寸小于预设规格的图形;步骤三,对版图进行MEEF分析,选择MEEF值超出规定的图形点;步骤四,根据模拟尺寸与MEEF值计算最大掩模板尺寸误差情况下的最小硅片尺寸,所述最小硅片尺寸的计算方法为:最小硅片尺寸=模拟尺寸–MEEF*最大掩模板误差/掩模板放大倍率;步骤五,设定最小硅片尺寸规格,选择通过步骤四得到的最小硅片尺寸小于设定规格的图形点;步骤六,掩模板制作完成后,对步骤五所选定的图形点进行掩模板尺寸测量,并根据实际掩模板误差计算预测硅片尺寸,所述预测硅片尺寸的计算方法为:预测硅片尺寸=模拟尺寸+MEEF*(标准化掩模板误差/掩模板放大倍率);步骤七,如果预测硅片尺寸符合最小硅片尺寸规格,则进行曝光并实施硅片尺寸验证,否则重新制作掩模板。
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