[发明专利]湿式蚀刻装置在审
| 申请号： | 201610268179.8 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107316825A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 黄荣龙;吕峻杰;陈滢如 | 申请（专利权）人： | 盟立自动化股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种湿式蚀刻装置，该湿式蚀刻装置包括一腔体、若干个蚀刻液喷嘴、以及一承载平台。该腔体包括一进气口以及一出气口。这些蚀刻液喷嘴设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻。该承载平台包括一本体以及若干个平台喷嘴。该本体设置于该基板下方。这些平台喷嘴贯穿该本体，一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。该湿式蚀刻装置能避免基板的背面脏污的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种湿式蚀刻装置，其特征在于，包括：一腔体，包括：一进气口，用于导入一蚀刻所需气体；以及一出气口，用于导出该蚀刻所需气体；若干个蚀刻液喷嘴，设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻；以及一承载平台，包括：一本体，设置于该基板下方；以及若干个平台喷嘴，贯穿该本体，一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
