[发明专利]一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法

摘要

本发明属于一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括以下步骤①在镀钼的钠钙玻璃基底上制备铜铟镓预置层；②将铜铟镓预置层放入快速退火炉中，25‑30s内升温至280~285℃，保温20‑30min，然后采用固态硒源在560‑565℃下硒化20~30 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒薄膜。本发明利用直流磁控共溅射技术在溅射有钼的玻璃基底上溅射特定比例的CuIn和CuGa合金靶，得到Cu‑In‑Ga的混合金属预制层，通过后期特定工艺条件下的高温快速硒化处理，成功制备了高质量的CIGS吸收层材料；利用该CIGS吸收层材料组配的CIGS薄膜光伏器件，转换效率在11%以上。

主权项

一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①在镀钼的钠钙玻璃基底上制备铜铟镓预置层；所述铜铟镓预置层采用直流磁控共溅射法制备，具体过程如下：将镀钼的钠钙玻璃基底放入磁控溅射腔室中，共溅射CuIn合金靶和CuGa合金靶制备铜铟镓预置层，本底真空为4~5×10‑4 Pa，工作压强0.7~0.8 Pa，CuIn合金靶的溅射功率为90 W，CuGa合金靶的溅射功率为20 W，溅射时间60 min；②将铜铟镓预置层放入快速退火炉中，25~30s内升温至280~285℃，保温20~30min，然后采用固态硒源在560~565℃下硒化20~30min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒薄膜。