[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201610274590.6 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105720097A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄宇亮;程哲;张连;张韵;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形；势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；图形以及凹槽内有二次外延生长的p型层，其中，凹槽内的p型层与位于其上方的栅极金属接触，非凹槽内的p型层与位于其上方的漏极金属接触。以及晶体管的制备方法和包含该晶体管的半导体器件。所述晶体管通过槽栅结合选区二次外延p型层，增大器件阈值电压，而且由于只是部分刻蚀势垒层，器件饱和电流比槽栅型HEMT更大。另外，在漏极金属下也选区生长p型层，可以提高器件关断效果。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，其特征在于：所述钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的选区二次外延图形；所述势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；所述图形以及凹槽内有二次外延生长的p型层，其中，凹槽内的p型层与位于其上方的栅极金属接触，非凹槽内的p型层与位于其上方的漏极金属接触且位于栅、漏极之间。
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