[发明专利]VDMOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610287331.7 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107342224B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋;刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法，该方法包括：在N型外延层上生长栅氧化层并在栅氧化层上淀积本征多晶硅层；对本征多晶硅层及栅氧化层进行光刻、刻蚀，保留左右两侧区域的栅氧化层和本征多晶硅层；制作VDMOS器件的体区；以三氯氧磷为反应气体，进行本征多晶硅掺杂，形成具有饱和N型多晶硅层的栅极，并在体区中形成源区；在形成源区后的图案上形成介质层，介质层为凹槽型；对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区；在刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区后形成的图案上形成金属层，并制作金属引线，保证了VDMOS器件的高性能。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在N型外延层上生长栅氧化层并在所述栅氧化层上淀积本征多晶硅层；对所述本征多晶硅层及所述栅氧化层进行光刻、刻蚀，保留左右两侧区域的栅氧化层和本征多晶硅层；制作所述VDMOS器件的体区；以三氯氧磷为反应气体，进行本征多晶硅掺杂，形成具有饱和N型多晶硅层的栅极，并在所述体区中形成源区；在形成源区后的图案上形成介质层，所述介质层为凹槽型；对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区；在刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区后形成的图案上形成金属层，并制作金属引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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