[发明专利]半导体测试结构及其形成方法以及测试方法有效
| 申请号： | 201610293060.6 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346752B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 程凌霄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及其形成方法以及测试方法，半导体测试结构包括：衬底，所述衬底内具有阱区；位于所述衬底内的阱区上的栅极结构阵列，所述栅极结构阵列中的各栅极结构一侧的阱区内具有源区，所述栅极结构阵列中的各栅极结构另一侧的阱区内具有漏区；若干层层叠设置的天线结构，其中，所述栅极结构阵列中的每一栅极结构至少与一层天线结构电连接；位于所述若干层层叠设置的天线结构之间的介质层，所述介质层用于相邻天线结构之间的电绝缘。本发明提供的半导体测试结构既能应用于前端工艺中等离子损伤测试，还能够应用于后端工艺中的介质层损伤测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 形成 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有阱区；位于所述衬底内的阱区上的栅极结构阵列，所述栅极结构阵列中的各栅极结构一侧的阱区内具有源区，所述栅极结构阵列中的各栅极结构另一侧的阱区内具有漏区；若干层层叠设置的天线结构，其中，所述栅极结构阵列中的每一栅极结构至少与一层天线结构电连接；位于所述若干层层叠设置的天线结构之间的介质层，所述介质层用于相邻天线结构之间的电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
