[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610297863.9 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107346783B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的基底；在基底上形成层间介质层；在第一区域的层间介质层中形成露出基底的第一开口，在第二区域的层间介质层中形成露出基底的第二开口；在第一开口底部和侧壁以及第二开口底部和侧壁上形成栅介质层；在第二区域的栅介质层上形成第二功函数层；将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层；在第一区域的栅介质层和第二区域的阻挡层上形成第一功函数层；形成填充第一开口和第二开口的金属层。本发明将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层，所述阻挡层可以避免第一功函数层中的金属离子扩散进第二功函数层中，且未引入额外的膜层，从而避免对第二功函数层的性能造成不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域用于形成不同类型的晶体管；在所述基底上形成层间介质层；在所述第一区域的层间介质层中形成露出基底的第一开口，在所述第二区域的层间介质层中形成露出基底的第二开口；在所述第一开口底部和侧壁以及第二开口底部和侧壁上形成栅介质层；在所述第二区域的栅介质层上形成第二功函数层；对所述第二功函数层进行表面处理，将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层；在所述第一区域的栅介质层和第二区域的阻挡层上形成第一功函数层；形成填充所述第一开口和第二开口的金属层；所述第一开口内的栅介质层、第一功函数层和金属层用于构成第一栅极结构，所述第二开口内的栅介质层、第二功函数层、阻挡层、第一功函数层和金属层用于构成第二栅极结构。
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