[发明专利]一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统有效
申请号: | 201610301017.X | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN105904099B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 张亮;张少华 | 申请(专利权)人: | 环维电子(上海)有限公司 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统,涉及半导体领域,包括步骤S10获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;沟槽切割数据包括沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据沟槽切割数据,采用镭射在固化区域进行切割,形成待填充银胶的沟槽,沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入沟槽的银胶固化后,获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据;步骤S40根据距离数据对应的预设镭射控制参数,采用镭射切除预留的固化部分,将固化区域和裸露区域打通。当银胶固化后,自动获取相应的预设镭射控制参数将预留的固化部分切除,减小了产品报废的机率。 | ||
搜索关键词: | 一种 sip 模组 制造 方法 沟槽 切割 系统 | ||
【主权项】:
一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法,其特征在于,包括:步骤S10获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据所述沟槽切割数据,采用镭射在所述固化区域进行切割,形成待填充银胶的沟槽,所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入所述沟槽的银胶固化后,获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据;步骤S40根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数,采用镭射切除预留的所述固化部分,将所述固化区域和所述裸露区域打通。
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