[发明专利]一种SIP模组的镭射切割方法及系统有效
申请号: | 201610302540.4 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN105728956B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 孟新玲;宋浩真;张亮 | 申请(专利权)人: | 环维电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种SIP模组的镭射切割方法及系统,涉及镭射切割领域,包括步骤S10获取SIP模组的轮廓数据;其中,轮廓数据包括切割路径和切割位置;步骤S20根据预设的凹槽切割数据和获取的轮廓数据,采用镭射将SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除,形成散热的凹槽;步骤S30当凹槽形成后,根据获取的轮廓数据和预设的轮廓切割数据,采用镭射对SIP模组进行切割,直到切下SIP模组。在正常切割前,先在SIP模组周围开出一道用于散热、排屑的凹槽,再进行正常切割,之后对正常切割的SIP模组进行抛光,清扫残留的粉尘和碳化物,使SIP模组在后续制程中操持良好的镀层附着能力,提高了制程良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 sip 模组 镭射 切割 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种SIP模组的镭射切割方法,其特征在于,包括:步骤S10获取所述SIP模组的轮廓数据;其中,所述轮廓数据包括:切割路径和切割位置;步骤S20根据预设的凹槽切割数据和获取的所述轮廓数据,采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除,形成散热的凹槽;步骤S30当所述凹槽形成后,根据获取的所述轮廓数据和预设的轮廓切割数据,采用镭射对所述SIP模组进行切割,直到切下所述SIP模组;步骤S40根据所述轮廓数据和预设的抛光数据,采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造