[发明专利]一种电容器素子的含浸方法

摘要

一种电容器素子的含浸方法，包括以下步骤，1）将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方；2）密封真空炉，并将真空炉抽真空；3）将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min；4）将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。本发明的电容器素子的含浸方法利用导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得导电聚合物单体能够以气相形式充斥在整个炉室内，在相对较高温度下进行气相含浸一段时间后，再降低温度使得单体分子冷凝在素子内，使单体分子能够更好浸入铝箔空隙内。

主权项

1.一种电容器素子的含浸方法，其特征在于：包括以下步骤，1)将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方，其中，所述导电聚合物单体包括EDOT及其衍生物；2)密封真空炉，并将真空炉的真空度抽到0.1～1×10^‑4Pa，利用所述导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得所述导电聚合物单体以气相形式充斥在真空炉内；3)将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min，使得所述导电聚合物单体的单体分子冷凝在所述素子内，使单体分子浸入铝箔空隙内，其中，所述步骤3)重复1‑3次；4)将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。