[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201610318827.6 申请日: 2016-05-13
公开(公告)号: CN106782655B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 吴垓橓 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体存储装置及其操作方法,该半导体存储装置包括各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态的多个存储单元,该操作方法包括:将具有第一组程序状态作为目标程序状态的第一组存储单元设置为程序允许模式;将具有第二组程序状态作为目标程序状态的第二组存储单元设置为程序禁止模式;按照程序状态的级别的升序对n个程序状态中的第i执行程序操作和程序验证操作;以及在对第i程序状态的程序验证操作成功后,将具有第i程序状态的第一组存储单元中的一个或更多个存储单元从程序允许模式改变为程序禁止模式,且将具有第(i+k)程序状态的第二组存储单元中的一个或更多个存储单元从程序禁止模式改变为程序允许模式。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 操作方法
【主权项】:
一种半导体存储装置的操作方法,该半导体存储装置包括多个存储单元,所述多个存储单元各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态,所述操作方法包括以下步骤:将第一组存储单元设置为程序允许模式,所述第一组存储单元将第一组程序状态作为所述目标程序状态;将第二组存储单元设置为程序禁止模式,所述第二组存储单元将第二组程序状态作为所述目标程序状态;按照所述程序状态的级别的升序对n个程序状态中的第i程序状态执行程序操作和程序验证操作;以及在对所述第i程序状态执行的所述程序验证操作成功后,将具有所述第i程序状态的所述第一组存储单元中的一个或更多个存储单元从所述程序允许模式改变为所述程序禁止模式,并且将具有第(i+k)程序状态的所述第二组存储单元中的一个或更多个存储单元从所述程序禁止模式改变为所述程序允许模式。
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