[发明专利]一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法在审
| 申请号： | 201610327894.4 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105784744A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈胜;陈强;史燕萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法，包括：步骤S1：提供具有表层低介电常数材料之待分析芯片样品，并将表层低介电常数材料的一侧与承载硅片粘贴；步骤S2：对待分析芯片样品之硅基衬底进行研磨，对研磨程度的控制通过硅基衬底之边缘处所露出的器件层图形进行判断；步骤S3：进一步研磨，以使得研磨面平整；步骤S4：通过聚焦离子束制样工具制备低介电常数材料之TEM样品，且从硅基衬底一侧向表层低介电常数材料一侧进行切割。本发明可有效避免离子束和电子束对稀疏、多孔的表层低介电常数材料的损伤，显著提高低介电常数材料之TEM样品的质量，利于观测表层低介电常数材料的结构形貌和层次性，进行精确的工艺参数判断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 材料 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征在于，所述低介电常数材料之TEM样品的制备方法，包括：执行步骤S1：提供具有表层低介电常数材料之待分析芯片样品，并将所述待分析芯片样品之表层低介电常数材料的一侧与承载硅片粘贴；执行步骤S2：对所述待分析芯片样品之异于所述承载硅片一侧的硅基衬底进行研磨，对研磨程度的控制通过硅基衬底之边缘处所露出的器件层图形进行判断；执行步骤S3：进一步研磨，以使得研磨面平整；执行步骤S4：通过聚焦离子束制样工具在可制样区域制备低介电常数材料之TEM样品，且从硅基衬底一侧向表层低介电常数材料一侧进行切割。
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