[发明专利]一种半导体器件及其检测方法及电子装置有效
| 申请号： | 201610341110.3 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107403781B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘立;邓贵红;赵九洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其检测方法及电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有侧壁倾斜的金属线；对所述金属线进行直射光照射并收集反射光，根据所述反射光判断所述金属线是否具有缺陷。为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明收集反射光得到背景图案，通过判断所述背景图案即可以判断是否存在缺陷，若得到的背景灰暗，则没有缺陷，若得到的背景中存在明亮的点，则存在缺陷。所述方法更加简单可靠，可以准确的发现金属线中存在的任何缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 检测 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的检测方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有侧壁倾斜的金属线；对所述金属线进行直射光照射并收集反射光，根据所述反射光判断所述金属线是否具有缺陷。
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