[发明专利]改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法在审

专利信息
申请号: 201610341983.4 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN105789382A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 何广东;金井升;蒋方丹;金浩 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法,包括步骤:加热电池片,使温度达到第一温度,保持恒温第一预设时间;对保持恒温的电池片以预设电流通电,通电持续第二预设时间;对处于通电状态的电池片进行降温处理,使温度降至第二温度以下。电池片经加热并恒温处理后,再通电,电池片内的硼原子与氧原子能结合形成B‑O对,并与表面膜内的氢原子结合成H‑B‑O对,生成H‑B‑O对使B‑O对失去活性。因此经本发明方法处理后,电池片内的B‑O对复合体减少,从而能降低光致衰减幅度,能有效地改善掺硼晶体硅太阳电池的光致衰减现象。
搜索关键词: 改善 晶体 太阳电池 衰减 方法
【主权项】:
一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法,其特征在于,包括步骤:S1:加热电池片,使温度达到第一温度,保持恒温第一预设时间;S2:对保持恒温的电池片以预设电流通电,通电持续第二预设时间;S3:对处于通电状态的电池片进行降温处理,使温度降至第二温度以下。
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