[发明专利]高压ESD保护器件、电路及装置有效

申请号：	201610342927.2	申请日：	2016-05-20
公开（公告）号：	CN107403797B	公开（公告）日：	2020-04-07
发明（设计）人：	王俊;卢斌;刘森	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	屈蘅;李时云
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提供一种高压ESD保护器件、电路及装置，所述高压ESD保护器件，包括沿横向设置有高压N阱的P型衬底，在所述高压N阱中沿横向依次设有第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第一N+注入区、第三P+注入区，所述第一P+注入区和第二P+注入区之间的高压N阱上方覆盖有多晶硅栅极，在所述P型衬底上未设所述高压N阱的区域中沿横向依次设有第三N+注入区和第四P+注入区；其中，所述多晶硅栅极、第二N+注入区和第三P+注入区均接入第一接口端，所述第一P+注入区、第三N+注入区和第四P+注入区均接入第二接口端，所述第二P+注入区和第一N+注入区短接。即本发明的技术方案在常规可控硅结构中嵌入PMOS晶体管，通过PMOS晶体管来触发可控硅结构。
搜索关键词：	高压 esd 保护器件电路装置
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【主权项】：

一种高压ESD保护器件，包括沿横向设置有高压N阱的P型衬底，其特征在于，在所述高压N阱中沿横向依次设有第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第一N+注入区、第三P+注入区，所述第一P+注入区和第二P+注入区之间的高压N阱上方覆盖有多晶硅栅极，在所述P型衬底上未设所述高压N阱的区域中沿横向依次设有第三N+注入区和第四P+注入区；其中，所述多晶硅栅极、第二N+注入区和第三P+注入区均接入第一接口端，所述第一P+注入区、第三N+注入区和第四P+注入区均接入第二接口端，所述第二P+注入区和第一N+注入区短接。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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