[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件在审
| 申请号： | 201610346850.6 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107425056A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱 | 申请（专利权）人： | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 黄智明 |
| 地址： | 213200 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，与现有技术相比较，沟槽中填充的多晶硅被介质层分隔成上多晶硅层和下多晶硅层，上多晶硅层和下多晶硅层分别和沟槽上部氧化层和沟槽下部氧化层相互接触，上多晶硅层和栅极电极相连，下多晶硅层和发射极电极相连；沟槽中上多晶硅层的底部比有源原胞的P型阱区更深。本发明的结构降低了器件的米勒电容和开通能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管器件，包括背面的金属集电极(12)、P型集电极(11)、N型场终止层(10)和N‑漂移区(9)，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开；有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区(1)和多个P+接触区(2)，它们通过介质层(4)的窗口和金属发射极(5)相连；有源原胞内的P型阱区(6)通过P+接触区(2)和发射极电极相连；有源原胞内的P型阱区(6)下面还具有N型增强层(101)；虚拟原胞包含P型深阱(8)，P型深阱(8)不和任何电极相连，其电位悬空；其特征在于，沟槽中填充的多晶硅被沟槽介质层(72)分隔成上多晶硅层(32)和下多晶硅层(31)，上多晶硅层(32)和沟槽上部氧化层(73)相互接触，下多晶硅层(31)和沟槽下部氧化层(71)相互接触；上多晶硅层(32)和栅极电极相连，下多晶硅层(31)和发射极电极相连；上多晶硅层(32)的底部比P型阱区(6)更深。
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