[发明专利]一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置在审
| 申请号： | 201610363729.4 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437521A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 隋琳 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种刻蚀机的晶圆传送方法，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。通过对加锁容器持续抽气阶段带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物，减少晶圆表面产生的冷凝颗粒，从而减少冷凝颗粒对晶圆及刻蚀设备大气部分零部件的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 传送 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种刻蚀机的晶圆传送方法，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
