[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供基底，包括第一深度区域、第二深度区域和第三深度区域；在第二深度区域基底内形成缓冲掺杂离子区；去除第二深度区域和第三深度区域的部分基底，形成衬底和凸出于衬底上的鳍部；在衬底上形成厚度与第二深度区域深度相等的隔离结构，露出于隔离结构的鳍部为鳍部第一区域，未露出部分为鳍部第二区域；在鳍部第二区域内形成离子类型与缓冲掺杂离子区相同的防穿通掺杂离子区，且离子浓度大于缓冲掺杂离子区；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部第一区域内形成源漏掺杂区。本发明通过使防穿通掺杂离子区的离子浓度介于源漏掺杂区和缓冲掺杂离子区之间，降低源漏掺杂区与衬底之间的结漏电流。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底自下至上依次包括第一深度区域、第二深度区域和第三深度区域；对所述第二深度区域基底进行缓冲离子掺杂工艺，形成缓冲掺杂离子区；去除所述第二深度区域和第三深度区域的部分基底，露出所述第一深度区域的基底，形成衬底以及凸出于所述衬底上的鳍部；在所述鳍部之间的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的厚度与所述第二深度区域的深度相等，露出于所述隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域，未露出的鳍部作为鳍部第二区域；对所述鳍部第二区域进行防穿通离子掺杂工艺，形成位于所述缓冲掺杂离子区上的防穿通掺杂离子区，其中，所述防穿通掺杂离子区的离子类型与所述缓冲掺杂离子区的离子类型相同，且所述防穿通掺杂离子区的离子浓度大于所述缓冲掺杂离子区的离子浓度；形成横跨所述鳍部表面的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部第一区域的部分顶部和侧壁；在所述栅极结构两侧的鳍部第一区域内形成源漏掺杂区，所述源漏掺杂区的离子类型与所述防穿通掺杂离子区的离子类型相反，且所述源漏掺杂区的离子浓度大于所述防穿通掺杂离子区的离子浓度。