[发明专利]一种基板处理设备在审
申请号: | 201610409847.4 | 申请日: | 2016-06-12 |
公开(公告)号: | CN107492508A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 王义正 | 申请(专利权)人: | 奇勗科技股份有限公司;王义正 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 王玉双,许志影 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种基板处理设备,是针对一具有一暂时基板及一半导体元件的晶圆进行处理,该基板处理设备包含一第一半部、一第二半部及一液体供应单元,该第一半部包含一工作平台,该第二半部包含一具有一第一表面的上盖以及多个第二孔洞,该液体供应单元用于提供一液体,其中,该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离,进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种基板处理设备,是针对一具有一暂时基板以及一形成于该暂时基板一侧的半导体元件的晶圆进行处理,其特征在于,该基板处理设备包含有:一第一半部,包含有一工作平台及一设置于该工作平台的第一孔洞;一设置于该第一半部上方的第二半部,包含有一对应于该工作平台以形成一容置该晶圆的容置空间的上盖以及多个设置于该上盖的第二孔洞,该上盖具有一位于该工作平台上方且供该第二孔洞设置的第一表面;以及一分别与该第一孔洞及该第二孔洞连通并提供一液体至该容置空间的液体供应单元;其中,该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离,进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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