[发明专利]SRAM写电路控制方法有效
| 申请号： | 201610421145.8 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107507643B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朱家国;于跃 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM写电路控制方法，所述写电路管子的交叠产生寄生电容，通过调节写操作的时序，在进行写操作时，由交叠电容来把SRAM的位线拉低到负电位，从而能够在不增加电容电路的情况达到写辅助效果，增加写的正确性。 | ||
| 搜索关键词： | sram 电路 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM写电路控制方法，所述写电路包括第一非门、第二非门及第三非门，所述第一非门及第三非门的输入端连接写信号输入端，所述第三非门的输出端连接所述SRAM的第二位线BLb的门控管M2，所述第一非门的输出端连接所述第二非门的输入端，所述第二非门的输出端连接所述SRAM的第一位线BL的门控管M1，其特征在于，还包括第三门控管M3，该第三门控管M3的栅端连接控制信号EN的控制端，源端接地，漏端连接所述第二非门的输出端及所述第三非门的输出端，在所述写信号输入端输入写信号DI；将所述SRAM位线控制端处的电平信号YS由低电平变为高电平，与写信号DI相对应的0电位传输至所述SRAM的第一位线BL或第二位线BLb；在所述控制信号EN的控制端将所述控制信号EN由高电平变为电平，所述第三门控管M3的寄生电容将所述位线BL或所述位线BLb的0电位拉低为负电位；将所述SRAM字线控制端处的电平信号WL由低电平变为高电平，将所述位线BL或所述位线BLb的低电平写入存储单元。
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