[发明专利]一种LED芯片制作方法在审
| 申请号： | 201610424457.4 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107516697A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 许斌 | 申请（专利权）人： | 许斌 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种LED芯片制作方法，包括如下步骤S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；S102、将芯片固定在支架座上；S103、正面涂胶保护层；S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶；S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻；S108、镀膜，剥离，切割。本发明工艺步骤简单，易实施，成本低，且制作效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；S102、将芯片固定在支架座上；S103、正面涂胶保护层；S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶；S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻；S108、镀膜，剥离，切割。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许斌，未经许斌许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610424457.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
