[发明专利]低噪声MOS晶体管及相应电路在审
| 申请号： | 201610427586.9 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN106935634A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | J·希门尼斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括位于半导体衬底的有源区域之中和之上的MOS晶体管。有源区域由例如浅槽隔离型的绝缘区域界定。晶体管的漏极区域与绝缘区域分离地设置在半导体衬底中。晶体管的绝缘栅极包括与漏极区域对准的中心开口。晶体管的沟道区域环状围绕漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 mos 晶体管 相应 电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：位于半导体衬底的有源区域之中和之上的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其中所述有源区域由绝缘区域界定，并且其中所述MOS晶体管的漏极区域与所述绝缘区域分离地设置。
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